中金：SiC/GaN等核心第三代化合物半导体器件有望持续受益于数据中心电力相关系统升级
每经AI快讯，中金中心中金6月30日研报指出，等核代化电力在AI算力走向高密度、心第续受相关系统连续满载、合物强瞬态冲击之后，半导高压架构是体器数据中心供电系统发展的确定方向。在硬件技术进步推动下，望持2026年数据中心高压架构迎来落地元年。益于中金认为，数据升级SiC/GaN等核心第三代化合物半导体器件有望持续受益于数据中心电力相关系统升级，中金中心SiC有望统领机房侧（灰区）应用，等核代化电力而GaN有望在机柜内（白区）大规模渗透，心第续受相关系统从灰、合物白区分界线形成“SiC左，半导GaN向右”的体器市场格局，共同受益于数据中心电源方案迭代。
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